Изобретение относится к области измерительной техники для измерения давления и температуры в авиационной технике и машиностроении. Датчик давления и температуры построен на базе четырех диэлектрических пленок. На обеих поверхностях четвертой пленки и на верхней поверхности второй пленки сформированы обкладки чувствительных элементов давления и температуры на одной оси. В качестве материала обкладок выбраны медь и никель. Третья пленка выполнена перфорированной. Способ изготовления датчика давления и температуры включает в себя технологию нанесения меди и никеля на поверхность полиимидной пленки. Нижние обкладки после металлизации формируют с помощью электрической гравировки. Верхние обкладки формируют через маски в вакууме. Слои между собой скрепляются клеем. Такое конструктивное выполнение датчика, а также способ его изготовления позволяют расширить область применения, повысить надежность, а также расширить нижний диапазон измерения давления. 2 с.п. ф-лы, 1 ил.
Использование: в измерительной технике. Сущность изобретения: на кремниевой пластине создают пленку термического окисла и фотолитографией формируют в пленке окна под тензорезисторы. Проводят полное легирование в окна и разгонку легирующей примеси в окислительной атмосфере, создавая при этом пленку из SiО2 и под тензорезисторами. На противоположной тензорезисторам стороне пластине в пленке SiO2 формируют окна под профили и углубления по периметру датчиков. Вытравливают профили и углубления. Кремниевую пластину соединяют с несущей пластиной. Можно соединять кремниевую пластину с несущей через покрытую двуокисью кремния дополнительную пластину, содержащую сквозные отверстия, соответствующие профилю тензочувствительных, элементов и совмещенную с первой кремниевой пластиной. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении малогабаритных полупроводниковых датчиков давления.
Известен способ изготовления датчиков давления, включающий формирование на пластине кремния тензочувствительных схем, разделение пластины на отдельные элементы и соединение отдельного элемента с основанием (Ko W.H. Suminto I. T. and Leh G.I. «Bonding Techniques for Microsensors», Micromachining and Micropackaging of Transducers, Elsevier. Science Publichers B.V. Amsterdam, 1985, p. 41-61.
Недостатками данного способа являются низкая производительность, обусловленная единичной сборкой чувствительного элемента с основанием, и необходимость применения сложной оснастки для сборки, обеспечивающей центрирование деталей.
Наиболее близким к предлагаемому решению по технической сущности является способ изготовления датчиков давления, предусматривающий формирование в кремниевой пластине углублений в областях чувствительных элементов до образования воспринимающих давление мембран, соединение пластины со сформированными мембранами с несущей пластиной и разрезка полученной структуры на отдельные датчики (пат. США N 4384899, 09.11.81, H 01 L 21/02, НКИ 148/15).
Недостатком известного способа является низкий процент выхода годных, обусловленный локальными участками несоединившегося кремния с несущей, возникающими из-за наличия дефектов выступающего характера на пластине кремния и несущей пластине, скапливания в областях соединений газов, выделяющихся при температурной обработке в процессе соединения, и неплотным прижатием пластины кремния и несущей вследствие наличия реальной неплоскостности данных пластин. Реализация способа требует также приложения значительных усилий прижатия пластин, что усложняет технологическую оснастку и дополнительно снижает выход из-за возможных разрушений пластин.
В изобретении повышение выхода годных изделий достигается за счет формирования на пластине кремния вокруг отдельных датчиков зон с уменьшенной толщиной и локализации тем самым усилий прижатия в требуемых участках соединений пластин, снижения вероятности попадания выступающих дефектов в участки соединений, более полного прижатия соединяемых поверхностей с реально существующей неплоскостностью и отвода выделяющихся газов по данным зонам.
Согласно изобретению в способе изготовления датчика давления, включающим формирование локальным легированием через окна в пленке диоксида кремния тензочувствительных элементов с контактными площадками, травление под элементами профилей до образования воспринимающих давление мембран, соединения пластины кремния со стороны профилей с несущей пластиной и разделение полученной структуры на отдельные датчики, после формирования тензочувствительных элементов со стороны противоположной профилям формируют на поверхности пластины второй слой диоксида кремния, одновременно с травлением профилей под тензочувствительными элементами проводят формирование травлением зон с толщиной до 0,05.0,3 толщины исходной пластины по периметру тензочувствительных элементов с выходом на края пластины, а формирование контактных площадок осуществляют после присоединения пластины к несущей пластине. Дополнительно в процессе соединения прижим кремниевой пластины к несущей пластине осуществляют через покрытую диоксидом кремния дополнительную кремниевую пластину, содержащую сквозные отверстия, соответствующие профилю элементов и совмещенную с первой кремниевой пластиной.
На фиг. 1 изображен фрагмент пластины кремния (1) со сформированными травлением под тензочувствительными элементами профилями (2) и зон (3) с толщиной 0,05.0,3 исходной толщины пластины по периметру тензочувствительных элементов с выходом (4) данных зон на край пластины (5). На фиг. 2-6 изображены сечения данного фрагмента на отдельных стадиях способа.
На фиг. 2 изображена пластина кремния (1) толщиной hисх. со сформированными локальным легированием тензочувствительными элементами (6) и созданной на поверхности пленкой SiO2 (7).
На фиг. 3 изображена пластина кремния после травления с непланарной стороны профилей (2) до воспринимающих давление мембран (8) и одновременно зон (3), охватывающих периметр тензочувствительных элементов, соединенных между собой и выходящих на край пластины ( ). Оставшаяся толщина пластины в зонах (3) составляет 0,05.0,3 исходной толщины пластины. Толщина 0,05 hисх. выбирается в обеспечение сохранения жесткости пластины. Так при толщине пластины 400 мкм и толщине зон не менее 20 мкм отдельные датчики будут выламываться из пластины в процессе технологических операций. Толщина 0,3 hисх. определяется необходимостью получения гибкости участков зон, обеспечивающей в процессе соединения передачу давления на основания датчиков (9).
На фиг. 4 изображена структура, полученная после соединения пластины кремния с несущей пластиной (10).
На фиг. 5 изображена структура после вскрытия окон (11) под контакт с металлизацией и формирования металлизации (12). Линия разделения (13) структуры на отдельные датчики проходит по зонам с уменьшенной толщиной.
На фиг. 6 изображена структура в процессе соединения с дополнительным прижимом через кремниевую пластину (14), покрытую пленкой SiO2 (15) и имеющую отверстия (16), соответствующие профилю элементов. Пластина наложена на первую кремниевую пластину таким образом, чтобы отверстия совмещались с профилем тензочувствительных элементов и давления при прижиме локализовались по их периметру.
Пример. На кремниевой пластине КЭФ4, 5(100) толщиной 400 мкм термическим окислением создают пленку SiO2, фотолитографией формируют в пленке окна под тензорезисторы, ионным легированием внедряют в кремний бор и проводят термическую разгонку бора в окислительной среде до требуемого сопротивления тензорезисторов, создавая при этом пленку SiO2 над тензорезисторами. На противоположной тензорезисторам стороне пластины в пленке SiO2 формируют окна под профили и углубления в зонах по периметру элементов вытравливают в растворе КОН при 98 o С кремний в профиле толщины мембран 10 мкм и последовательно пленку SiO2 в растворе HF и кремний в растворе КОН в зонах по периметру элементов до толщины 40 мкм. В качестве несущей пластины возможно использовать стеклянную или кремниевую пластину. Пластина из щелочносодержащего стекла соединяется с кремниевой пластиной электростатическим способом при подаче напряжения 1. 1,5 кВ при 400.500 o С. Несущая пластина из кремния с кремниевой пластиной со сформированными датчиками соединяются методом диффузионной сварки через напыленный слой алюминия толщиной 2 мкм при 600 o С или методом прямого сращивания кремния при 800.1000 o С. В процессе соединения в вакууме образуется герметичный спай оснований датчика с частью несущей пластины с формированием вакуумной полости для реализации измерений абсолютного давления. Фотолитографией вскрывают окна в диоксиде кремния, напыляют металлическую пленку, например алюминий и фотолитографией формируют контактные площадки. Разделяют структуру резкой алмазными дисками на отдельные датчики. Прижимную кремниевую пластину изготавливают методом сквозного анизотропного травления.
Дополнительными преимуществами предложенного способа являются использование несущих пластин с менее жесткими требованиями по классу механической обработки по всей поверхности пластин за счет локализации областей соединения; использование контактов, не выдерживающих температуры сборки с несущей пластиной, например контактов на основе олова под пайку внешних выводов, за счет формирования контактов на завершающем этапе; исключение разрушения мембран датчиков за счет прижима при сборке через упорную пластину с отверстиями.
1.Способ изготовления датчиков давления, включающий формирование локальным ионным легированием через окна в пленке диоксида кремния на пластине кремния тензочувствительных элементов с контактными площадками, травление под элементами профилей до образования воспринимающих давление мембран, соединение пластины кремния со стороны профилей с несущей пластиной, разделение полученной структуры на датчики, отличающийся тем, что после формирования тензочувствительных элементов со стороны, противоположной профилям, формируют на поверхности пластины второй слой диоксида кремния, одновременно с травлением профилей под тензочувствительными элементами проводят формирование травлением зон толщиной 0,05 0,3 толщины исходной пластины по периметру тензочувствительных элементов с выходом на края пластины, а формирование контактных площадок осуществляют после присоединения пластины к несущей пластине.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в процессе соединения осуществляют прижим кремниевой пластины к несущей пластине через покрытую двуокисью кремния дополнительную кремниевую пластину, содержащую сквозные отверстия, соответствующие профилю тензочувствительных элементов, и совмещенную с первой кремниевой пластиной.
Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к области измерительной техники для измерения давления и температуры и теплового потока в авиационной технике и машиностроении.
Известен матричный емкостной датчик давления, разработанный на базе пяти диэлектрических пленок. На поверхности двух пленок сформированы обкладки конденсаторов с выводами и боковые экраны, третья пленка перфорированная и расположена между обкладками конденсаторов. На обеих поверхностях четвертой диэлектрической пленки сформированы электроды из никеля и меди. Пятая диэлектрическая пленка оснащена основным экраном и наклеена на поверхность изделия.
Такое техническое решение позволяет одновременно измерить давление, температуру и тепловой поток без дополнительной механической обработки изделий (см. а.с. СССР N 1643157, G 01 L 7/08 1991 «Емкостной матричный датчик давления», автор А.А. Казарян).
Этот датчик обладает недостатками, затрудняющими его широкое применение. К числу недостатков можно отнести громоздкость, многослойность чувствительных элементов (ЧЭ) давления, температуры и то, что их формируют в отдельности на поверхностях разных диэлектрических пленок.
Известен способ изготовления матричного емкостного датчика давления и температуры. ЧЭ давления и температуры формируют в вакуумной камере через маски. Затем из пяти слоев металлизированных и неметаллизированных диэлектрических пленок формируют пакет. Слои между собой скрепляют клеем. Затем сформированный пакет выдерживают при определенной температуре и давлении между пуансоном и матрицей, т.е. прессуют. Этот способ сборки датчика позволяет в заданном участке одновременно измерять давление, температуру и тепловой поток без нарушения целостности изделия.
Недостатком этого способа является то, что при формировании ЧЭ давления и температуры отсутствуют режимы металлизации и очистки поверхности диэлектрической пленки (см. а.с. СССР N 1648157 G 01 L 7/08 1991, автор А.А. Казарян).
Наиболее близким к предложенному изобретению техническим решением является датчик давления и температуры. Этот датчик содержит три диэлектрические пленки. На первой пленке сформирован сплошной «основной экран. Вторая диэлектрическая пленка из окиси алюминия является изолятором. На верхней и нижней поверхностях третьей пленки соосно сформированы первые и вторые обкладки конденсаторов с выводами и боковые экраны, выводы конденсаторов смещены относительно друг друга, первая обкладка из меди, вторая из никеля. Такой датчик также позволяет одновременно измерять в заданном участке температуру, давление и тепловой поток без нарушения целостности изделия (см. патент РФ 2110778, 10.05.98).
Недостатки этого датчика: он не позволяет измерять давление меньше 40 Па; низкая надежность при обтекании ЧЭ давления и температуры потоком газа со скоростью 90 — 100 м/с и выше; отсутствие резервного ЧЭ температуры.
Наиболее близким к предложенному изобретению техническим решением является способ изготовления датчика давления и температуры, (см. патент РФ 2110778, 10.05.98). В этом способе ЧЭ температуры формируют на основе обкладок ЧЭ давления. ЧЭ температуры формируют путем вакуумной металлизации из меди и никеля обеих поверхностей диэлектрической пленки. Три диэлектрических пленки из полиимида скрепляют между собой пленкой клея. Изоляционный слой формируют в вакууме из окиси алюминия.
Недостатки способов изготовления датчиков давления и температуры, выбранных в качестве аналогов, практически не отличаются друг от друга.
Технический результат настоящего изобретения: расширение области применения, повышение надежности и расширение нижнего диапазона измерения давления.
Технической результат достигается тем, что в датчике давления и температуры содержащем диэлектрические пленки, соединенные в пакет, с основным экраном сформированным на первой диэлектрической пленке, являющейся основанием датчика, с первыми обкладками конденсаторов с выводами и боковыми экранами, сформированными на верхней и нижней поверхностях верхней пленки, причем выводы конденсаторов смещены между собой, первая обкладка выполнена из меди, вторая — из никеля, изоляционная диэлектрическая пленка выполнена из окиси алюминия, верхняя пленка является четвертой, а в конструкцию датчика дополнительно введена перфорированная диэлектрическая пленка, которая расположена между второй и четвертой диэлектрическими пленками, на верхней поверхности второй пленки сформированы соосно с первыми вторые обкладки конденсаторов с выводами и боковые экраны, первая диэлектрическая пленка выполнена из окиси алюминия.
В способе изготовления датчика давления и температуры технический результат достигается тем, что при соединении между собой диэлектрических пленок, формировании пленки из окиси алюминия в вакууме, металлизации обкладок с выводами, основного и бокового экранов на поверхностях диэлектрических пленок в вакууме, формировании пакета и скреплении пленок между собой и с поверхностью изделия пленкой клея, на поверхностях второй и четвертой пленок металлизируют в вакууме сплошной слой из меди, затем обкладки с выводами и боковые экраны формируют путем электрической гравировки при напряжении питания 6 — 10 В, обкладки из никеля формируют через маски, причем перед металлизацией производят активизацию поверхностей пленок тлеющим разрядом в вакуумной камере при давлении (5 — 8)
10 -1 мм рт.ст., силе тока 550 — 600 мА, продолжительностью 0.25 — 0.3 мин, металлизируют пленки медью при давлении 1
10 -4 мм рт.ст., силе тока 230 — 240 мА, продолжительностью 0.18 — 0.2 мин, при металлизации пленок никелем выдерживают давление в камере 1
10 -4 мм рт. ст. при силе тока 230 — 240 мА продолжительностью 0.45 — 0.5 мин, в последнем этапе на поверхности сплошного основного экрана осаждают первую пленку из окиси алюминия при давлении 1
10 -4 — 0.5
10 -4 мм рт.ст., при силе тока 230 — 240 мА, продолжительностью 0.4 — 0.45 мин.
На фиг. 1 изображены конструкция и отдельные узлы датчика давления и температуры, основанием датчика является первая диэлектрическая пленка 1 из окиси алюминия с основным экраном 2. На верхней поверхности второй пленки 3 в вакууме металлизирован сплошной слой меди, затем способом электрической гравировки сформированы обкладки 4 с выводами А, Б, В. Обкладки 5 с выводами А», Б», В» из никеля и боковой экран 6 формируются с помощью маски (сеч. А-А). Третья пленка 7 — перфорированная расположена между четвертой 8 и второй 3 пленками (сеч. Г-Г). Нижняя и верхняя поверхности четвертой пленки 8 металлизированы медью, затем способом электрической гравировки сформирован боковой экран 9, обкладки 10 с выводами Г, обкладки 11 с выводами Г» и боковой экран 12 (сеч. Г-Г). Обкладки 13 с выводами а, б, в и обкладки 14 с выводами а», б», в» тоже сформированы с помощью маски. Все слои пленки между собой и с изделием 15 скрепляют клеем 16.
Все выводы ЧЭ давления и температуры смещены относительно друг друга и не имеют электрического контакта с экранами 2, 9, 12.
В конструкции датчика ЧЭ давления являются обкладки 10 с выводом Г (сеч. Б-Б) и обкладки 4 с выводами А, Б, В из меди (сеч. А-А). Сигнал, несущий информацию о давлении, снимают с выводов АГ, БГ, ВГ и т.д. Напряжение поляризации датчика подают к выводу Г. Чувствительные элементы температуры — обкладки 4, 5 с выводами А»А, Б»Б, » (сеч. А-А), обкладки 10, 13 с выводами Га, Гб, Гв (сеч. Б-Б, Г-Г) и обкладки 10, 14 с выводами Г»а», Г»б», Г»в» (сеч. В-В, Г-Г).
ЧЭ теплового потока являются обкладки 4, 5, 10, 13 (сеч. Г-Г, Б-Б, В-В) и обкладки 10, 13, 4, 5 (сеч. Г-Г, А-А).
ЧЭ температуры 4, 5 являются резервными в случае отказа основных ЧЭ 11, 14.
Верхние ЧЭ 10, 11 не защищены от внешних воздействий при высоких скоростях потока газа. Тепловой поток определяется как
— теплоемкость третьей и четвертой диэлектрической пленок толщиной d;
1 — температура термопары 11, 14; на четвертой пленке 8 и 10, 13; на третьей пленке 7;
2 — температура ЧЭ 10, 13 и 4, 5 на основе третьей пленки 7.
Термоэлектродвижущие напряжения измеряют между следующими выводами: А»А, Б»Б, » (сеч. А-А); аг, бг, вг; a»г», б»г», в»г» (сеч. Б-Б, В-В).
Первая диэлектрическая пленка 1 является изолятором между основным экраном 2 и изделием 15 и выполняется из окиси алюминия в вакууме толщиной 0,5 — 1,0 мкм.
Технический результат достигается также тем, что в процессе изготовления датчиков соблюдают следующие технологические циклы: 1 этап. Подготовка сырья и материалов. В этом процессе очищают поверхность полиимидной пленки этиловым спиртом. Также подвергаются очистке медь и никель, предназначенные для металлизации полиимидной пленки или других диэлектрических пленок.
2 этап. Для повышения адгезионной прочности между металлом и диэлектрической пленкой из полиимида в вакууме поверхность пленки активизируют путем тлеющего разряда. Создают вакуум 5
10 -1 — 8
3 этап. На поверхностях второй 3 и четвертой 8 диэлектрических пленок в вакууме металлизируют сплошной слой меди толщиной 0,30 — 0,50 мкм. Выбирают режимы металлизации из меди при вакууме 1
10 -4 — 10 -4 мм рт.ст. продолжительностью 0,18 — 0,2 мин при силе тока 230 — 240 мА. Первую диэлектрическую пленку 1 на поверхности сплошного основного экрана 2 формируют тоже в вакууме из окиси алюминия.
4 этап. Обкладки 4, 10, 11, выводы А, Б, В, Г, Г» и боковые экраны 6, 9, 12 формируют путем электрической гравировки. Минимальным расстоянием между обкладками, выводами и экранами выбирают 0,3 — 0,5 мм, что соответствует размерам пера электрического «карандаша». Напряжение питания «карандаша» 5 — 10 В.
5 этап. Формирование обкладок 5, 13, 14, выводов А», Б», В», a, б, в, а», б», в» осуществляют тоже в вакууме через маски никелем. При этом поддерживают давление в камере 1
6 этап. На поверхности сплошного основного экрана 2 в вакууме осаждают первую диэлектрическую пленку из окиси алюминия толщиной 0,5 — 1,0 мкм при следующих режимах: давление 10 -4 — 0,5
10 -4 мм рт.ст., сила тока 230 — 240 мА, продолжительность 0,4 мин.
7 этап. На обе поверхности третьей диэлектрической пленки 7 наносят клей и располагают между антиадгезионной бумагой и перфорируют специальным перфоратором. Затем отделяют пленку от бумаги.
8 этап. Из четырех слоев пленки формируют пакет, выдерживают под давлением (между двумя пластинами) и температурой по заранее известной технологии прессовки и термической обработки.
Перфорация третьей диэлектрической пленки повышает чувствительность датчика давления. В зависимости от диаметра и количества отверстий ячеек перфорации чувствительность датчика можно увеличить для измерения давления десятков Паскалей. Толщину диэлектрических пленок выбирают 10 — 40 мкм.
Область применения этих датчиков расширяется за счет одновременного измерения давления, температуры и теплового потока. Надежность повышается за счет оснащения датчика резервным ЧЭ температуры 4, 5 и одновременного измерения давления и температуры. Снижение себестоимости датчика связано с сокращением трудоемкости за счет одновременного измерения давления и температуры и сокращения количества диэлектрических пленок по сравнению с прототипом.
Принцип работы датчика. При изменении давления P четвертая диэлектрической пленки 8 изгибается внутрь ячейки перфорации пленки 7. В результате относительное изменение емкости
c/c пропорционально изменению приложенного давления. Электрическое напряжение на выводах 4, 10 (АГ, БГ, ВГ) пропорционально приращению емкости
Принцип работы ЧЭ температуры основан на использовании термоэлектрического эффекта, возникающего в соединениях двух металлов — никеля и меди. При этом ЧЭ температуры и теплового потока состоит из третьей и четвертой диэлектрических пленок 7, 8. Эти пленки оснащены термопарами, образуемыми обкладками 4, 5; 10, 13; 11, 14. При тепловом потоке
на обе поверхности датчика через диэлектрическую пленку 8 или 7 толщиной d термопары испытывают действие температуры 01 и 02. Тепловой поток
зависит от измеренной разности температуры 01 — 02, коэффициента теплопроводности и толщины d третьей диэлектрической пленки, т.е.
= f (01, 02,
С этой целью ЦАГИ были изготовлены и проверены в лабораторных условиях раздельно ЧЭ давления с размерами 6 х 9 мм 2 и толщиной мембраны 12 и 20 мкм, ячейкой перфорации 0,8 — 6,0 мм, толщиной пленки 20 — 40 мкм. Уровень пульсации давления 500 Па. Чувствительность датчика при 1 Па равняется
Напряжение поляризации пост. током 100 В, емкость датчиков 10 — 30 пФ.
Также в отдельности проверены термопары с размерами 6 х 9 мм 2 , металлизированные из меди и никеля, с толщиной покрытия 0,50 мкм. Температурный коэффициент чувствительности термопары 1,3 мкВ/ o C.
Такое конструктивное решение за счет упрощения и одновременного измерения давления, температуры и теплового потока позволяет совместить эти измерения с весовыми измерениями. При этом повышается технико-экономический эффект аэродинамического эксперимента.
Формула изобретения
1. Датчик давления и температуры, содержащий диэлектрические пленки, соединенные в пакет, на первой диэлектрической пленке, являющейся основанием датчика, сформирован основной экран, на верхней и нижней поверхностях верхней пленки сформированы первые обкладки конденсаторов с выводами и боковые экраны, выводы конденсаторов смещены между собой, первая обкладка выполнена из меди, вторая — из никеля, изоляционная диэлектрическая пленка — из окиси алюминия, отличающийся тем, что верхняя пленка является четвертой, а в конструкцию датчика дополнительно введена перфорированная диэлектрическая пленка, которая расположена между второй и четвертой диэлектрическими пленками, на верхней поверхности второй пленки сформированы соосно с первыми вторые обкладки конденсаторов с выводами и боковые экраны, первая диэлектрическая пленка выполнена из окиси алюминия.
2. Способ изготовления датчика давления и температуры, заключающийся в том, что соединяют между собой диэлектрические пленки, пленку из окиси алюминия формируют в вакууме, обкладки с выводами, основной и боковой экраны на поверхностях диэлектрические пленок металлизируют также в вакууме, затем формируют пакет и скрепляют пленки между собой и с поверхностью изделия пленкой клея, отличающийся тем, что на поверхностях второй и четвертой пленок, металлизируют в вакууме сплошной слой из меди, затем обкладки с выводами и боковые экраны формируют путем электрической гравировки при напряжении питания 6 — 10 В, обкладки из никеля формируют через маски, причем перед металлизацией производят активизацию поверхностей пленок тлеющим разрядом в вакуумной камере при давлении (5 — 8)
10 -1 мм рт.ст., силе тока 550 — 600 мА продолжительностью 0,25 — 0,3 мин, металлизируют пленки медью при давлении 1
10 -4 мм рт.ст., сила тока 230 — 240 мА продолжительностью 0,18 — 0,2 мин, при металлизации пленок никелем выдерживают давление в камере 1
10 -4 мм рт.ст., сила тока 230 — 240 мА продолжительностью 0,45 — 0,5 мин, на последнем этапе на поверхности сплошного основного экрана осаждают первую пленку из окиси алюминия при давлении 1
10 -4 мм рт.ст., силе тока 230 — 240 мА продолжительностью 0,4 — 0,45 мин.
